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採用情報

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MOSFET&IGBT ドライブ用高速トランス
High Frequency Pulse Transformers

FDTシリーズ

  • RoHS 10
FDTシリーズ

特 長

  • 超小型高耐圧品(コアサイズ 8mm)
  • 低リーケージインダクタンス
  • 低入出力間容量

用 途

  • パワーMOSFET&IGBT駆動回路
  • 高耐圧信号絶縁(フィードバック用途等)
  • DC-DCコンバータ回路
  • 信号伝送回路
  • そのほか高耐圧・小型が要求される回路

共通仕様

絶縁耐圧 動作温度範囲 保存温度範囲
AC2000V(1分間) -10℃~+70℃ -20℃~+105℃

ブロック図

FDTシリーズ ブロック図
FDTシリーズ ブロック図
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