絶縁技術でパワエレの未来へツナグ

HOME > 製品・技術の紹介 > ゲートドライバー > SDM1210/SDM1810

SiC-MOSFETゲートドライバー
Gate Drivers

SDM1210/
SDM1810

  • RoHS 6
  • 短絡検出
  • 電圧低下検出
  • ミラークランプ

ROHM製SiCパワーモジュール用
100kHz
SiC-MOSFETゲートドライバー
《2回路内蔵》

SDM1210/SDM1810

フォトカプラ絶縁方式によるゲートドライブ回路とDCDCコンバータを1ユニット化した製品で、ROHM製SiCパワーモジュール一体形状によりシステムの小型化に貢献します。

特 長

  • SiCパワーモジュールに一体取付可能
  • 短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載
  • ワイドレンジ入力

電気的特性(Ta=25℃)

回路数 実装タイプ 電源
電圧
入力信号 入力信号
周波数
2 ビルトイン 15V/
24V
5V DC~100kHz
出力バイアス
電圧
ゲート
駆動電荷
絶縁耐電圧 動作使用
温度範囲
外形寸法(mm)
W×D×H
18V/-4V 560nC/
900nC
AC3.5kV -40~+70℃ 86.5×66.5×90

ブロック図

SDM1210/SDM1810 ブロック図
SDM1210/SDM1810 カタログダウンロード カタログDL