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SiC-MOSFETゲートドライバー
Gate Drivers

SDM1210RE/
1810P3RE

  • RoHS 6
  • 短絡検出
  • 電圧低下検出
  • ミラークランプ

ROHM製SiCパワーモジュール用
100kHz
SiC-MOSFETゲートドライバー
《2回路内蔵》

SDM1210RE/1810P3RE

ローム製ドライバーICを使用したゲートドライバーでSDM1810
P3REは第3世代の180A定格SiCパワーモジュールに対応します。

特 長

  • ローム社製ドライバーIC搭載
  • 短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載
  • ワイドレンジ入力

電気的特性(Ta=25℃)

回路数 実装タイプ 電源
電圧
入力信号 入力信号
周波数
2 ビルトイン 15V/
24V
5V DC~100kHz
出力バイアス
電圧
ゲート
駆動電荷
絶縁耐電圧 動作使用
温度範囲
外形寸法(mm)
W×D×H
18V/-4V /
18V/-2V
560nC AC2.5kV -40~+70℃ 86.5×66.7×29

ブロック図

SDM1210RE/1810P3RE ブロック図
SDM1210RE/1810P3RE カタログダウンロード カタログDL