SiC-MOSFETゲートドライバー
Gate Drivers
GDUSC30
1200V・300Aクラス 200kHz
SiC-MOSFETゲートドライバー
《2回路内蔵》
フォトカプラ絶縁方式による高速ゲートドライブ回路とDCDCコンバータを１ユニット化した製品で、次世代の低損失素子として期待されているSiC-MOSFETをゲートドライブに適したバイアス電圧で高周波駆動が可能です。
特 長
- ● 様々な素子・使用条件に対応できる汎用設計
- ● 高周波駆動に適した高速応答遅れ時間
- ● +18V,-4Vに安定化されたバイアス電源
電気的特性（Ta=25℃）
| 回路数 | 実装タイプ | 電源 電圧 |
入力信号 | 入力信号 周波数 |
|---|---|---|---|---|
| 2 | 別置き | 24V | 5V | DC～300kHz |
| 出力バイアス 電圧 |
ゲート 駆動電荷 |
絶縁耐電圧 | 動作使用 温度範囲 |
外形寸法（mm） Ｗ×Ｄ×Ｈ |
|---|---|---|---|---|
| 18V/-4V | 900nC | AC3.5kV | -10～+70℃ | 122×65×46.6 |
ブロック図
| GDUSC30 カタログダウンロード |  |
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