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SiC-MOSFETゲートドライバー
Gate Drivers

GDUSC12

  • RoHS 6

1200V・120Aクラス 200kHz
SiC-MOSFETゲートドライバー
《2回路内蔵》

GDUSC12

フォトカプラ絶縁方式による高速ゲートドライブ回路とDCDCコンバータを1ユニット化した製品で、次世代の低損失素子として期待されているSiC-MOSFETをゲートドライブに適したバイアス電圧で高周波駆動が可能です。

特 長

  • 様々な素子・使用条件に対応できる汎用設計
  • 高周波駆動に適した高速応答遅れ時間
  • +18V,-4Vに安定化されたバイアス電源

電気的特性(Ta=25℃)

回路数 実装タイプ 電源
電圧
入力信号 入力信号
周波数
2 別置き 24V 5V DC~200kHz
出力バイアス
電圧
ゲート
駆動電荷
絶縁耐電圧 動作使用
温度範囲
外形寸法(mm)
W×D×H
18V/-4V 560nC AC2.5kV -10~+70℃ 90×55×31.6

ブロック図

GDUSC12 ブロック図
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