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中容量高速ゲートドライバー
Gate Drivers

GDM-1152N

  • RoHS 6

200kHz
MOSFETゲートドライバー
《2回路内蔵》

GDM-1152N

トランス方式によるゲートドライブ回路を使用した製品で、200kHzまでの高速ドライブが可能です。

特 長

  • トランス絶縁方式で長寿命
  • 小型・高速
  • Duty100%までドライブ可能

電気的特性(Ta=25℃)

回路数 実装タイプ 電源
電圧
入力信号 入力信号
周波数
2 基板実装 15V トランス駆動 DC~200kHz
出力バイアス
電圧
ゲート
駆動電荷
絶縁耐電圧 動作使用
温度範囲
外形寸法(mm)
W×D×H
15V/-9V 150nC AC2kV -10~+60℃ 33×31×13

ブロック図

GDM-1152N ブロック図
GDM-1152N カタログダウンロード カタログDL